Samsung розкрила подробиці про 1,4-нм техпроцесДнями віце-президент підрозділу Samsung з контрактного виробництва чіпів Чон Гі Тхе (Jeong Gi-Tae) в інтерв’ю виданню The Elec повідомив, що у майбутньому техпроцесі SF1.4 (клас 1,4 нм) кількість каналів у транзисторах буде збільшена з трьох до чотирьох, що принесе із собою відчутні переваги щодо продуктивності та енергоспоживання. Це відбудеться на три роки після випуску аналогічних за будовою транзисторів Intel, що змусить Samsung наздоганяти конкурента.Компанія Samsung першою почала випускати транзистори із затвором, що повністю оточує канали в транзистори (SF3E). Це сталося понад рік тому і використовується досить вибірково. Наприклад, такого роду 3-нм техпроцес задіяний для випуску чіпів для майнерів криптовалюти. Канали в транзисторах у новому техпроцесі є тонкі нанолісти, розміщені один над одним. У транзисторах Samsung три такі канали, які з усіх чотирьох сторін оточені затвором і тому струм через них тече під точним контролем із мінімальними витоками.